IRFB4110PBF vs IRF540ZPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRFB4110PBF par Infineon et IRF540ZPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRFB4110PBF | IRF540ZPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,55 | $0,62 |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 120 A (bond-wire limited) | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 4.5 mΩ | — |
| On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V | 3.7 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 370 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 °C to +175 °C | — |
| Boîtier | TO-220AB (through-hole) | TO-220AB (through-hole, 3-lead) |
| Technology | HEXFET (planar DMOS) | HEXFET Power MOSFET (N-Channel DMOS) |
| Type de montage | Through Hole | Through Hole |
| Statut RoHS | Compliant (Pb-free suffix) | Compliant |
| Lead-Free | Yes (PBF suffix denotes Pb-free) | Yes |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Part Number | — | IRF540ZPBF |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25C | — | 36 A |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | [DATA_NEEDED: V_GS maximum rating] |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] |
| On-Resistance R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 26.5 mOhm |
| Total Gate Charge (Q_g) | — | 42 nC |
| Power Dissipation (P_D) at T_C=25C | — | 92 W |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 C |
| Plage de température de jonction en fonctionnement | — | -55 C to +175 C |
| Nombre de broches | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Automotive Qualified | — | Yes (per datasheet description) |