IRFML8244TRPBF vs IRFR120NTRPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRFML8244TRPBF от Infineon и IRFR120NTRPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRFML8244TRPBF IRFML8244TRPBF - 25V 5.8A N-Ch MOSFET, 24mOhm | Infineon

IRFML8244TRPBF - 25V 5.8A N-Ch MOSFET, 24mOhm | Infineon

IRFML8244TRPBF ✓ Активен
Infineon
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF - 100V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR120NTRPBF - 100V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR120NTRPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRFML8244TRPBF IRFR120NTRPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,15 $0,26
Тип транзистора N-Channel MOSFET —
Technology IR MOSFET (HEXFET) HEXFET (IR MOSFET fifth generation)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 25 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) 5.8 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
RDS(on) max @ VGS=10V 24 mOhm —
RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Total Gate Charge (Qg) 5.4 nC —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] —
Power Dissipation (PD) max 1.25 W (Ta) —
Диапазон рабочих температур -55 C to +150 C (junction) —
Корпус SOT-23-3 (TO-236-3, SC-59) TO-252AA (DPAK)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Уровень MSL MSL1 —
Pin Configuration Industry-standard SOT-23 pinout (G-D-S) —
Статус RoHS Compliant (Pb-free, halogen-free) —
Qualification Consumer grade —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 9.4 A
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C — 48 W
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 210 milliohms at VGS=10V
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V to 4 V typical
Total Gate Charge (Qg) typical — 16.7 nC
Gate-to-Source Charge (Qgs) — [DATA_NEEDED: Qgs]
Gate-to-Drain Charge (Qgd) — [DATA_NEEDED: Qgd]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — [DATA_NEEDED: Crss]
Диапазон рабочей температуры перехода — -55C to +175C
Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Energy Rating (EAS) — [DATA_NEEDED: EAS]
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) max — [DATA_NEEDED: RthJC]
Lead-Free / RoHS Status — Lead-Free, RoHS Compliant

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену