IRFP2907PBF vs IRFZ34NPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRFP2907PBF от Infineon и IRFZ34NPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRFP2907PBF IRFP2907PBF - 75V 209A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFP2907PBF - 75V 209A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFP2907PBF ✓ Активен
Infineon
IRFZ34NPBF IRFZ34NPBF - 55V 29A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFZ34NPBF - 55V 29A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFZ34NPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRFP2907PBF IRFZ34NPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $2,45 $0,61
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number IRFP2907PBF —
Technology HEXFET Stripe Planar DMOS (N-Channel) HEXFET (Planar DMOS, 5th generation)
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 75 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C = 25 C 209 A —
Static Drain-to-Source On-Resistance (R_DS(on)) 4.5 mOhm at V_GS = 10 V —
Power Dissipation (P_D) at T_C = 25 C 470 W —
Total Gate Charge (Q_g) 410 nC —
Maximum Junction Operating Temperature +175 C —
Package / Mounting Type TO-247AC (Through Hole) —
Число выводов 3 (Gate, Drain, Source) —
RoHS Compliance Yes (Pb-free) —
Avalanche Rated Yes (repetitive avalanche rated) —
Body Diode Integral (no external anti-parallel diode required) —
Lead-Free Yes —
Part Status — Active
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 55 V
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25C — 29 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (P_D) at Tc=25C — 68 W
On-Resistance R_DS(on) max at V_GS=10V — 40 mOhm
Gate Charge (Q_g) typ — 22.7 nC
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Input Capacitance (C_iss) typ — [DATA_NEEDED: input capacitance]
Диапазон рабочих температур — -55 C to +175 C
Maximum Junction Temperature — 175 C
Корпус — TO-220AB (3-pin + tab, through-hole)
Тип монтажа — Through Hole
Lead-Free Status — Yes (Pb-free, RoHS compliant)
Qualification — JEDEC standard
Статус RoHS — Compliant
Configuration — Single N-Channel, 3-pin (3+tab)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену