IRFR1018ETRPBF vs IRFR5410TRPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRFR1018ETRPBF от Infineon и IRFR5410TRPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRFR1018ETRPBF IRFR1018ETRPBF - 60V 79A 8.4mΩ N-Channel MOSFET | Infineon

IRFR1018ETRPBF - 60V 79A 8.4mΩ N-Channel MOSFET | Infineon

IRFR1018ETRPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRFR1018ETRPBF IRFR5410TRPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,36 $0,71
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 60 V —
Continuous Drain Current (Id) 79 A (Tc) —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Rds(on) Max @ Vgs=10V 8.4 mΩ —
Rds(on) Max @ Vgs=4.5V [DATA_NEEDED: Rds(on) at 4.5V] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) 2.0 V to 4.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 46 nC —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) [DATA_NEEDED: Crss] —
Maximum Power Dissipation (Pd) 110 W (Tc) —
Диапазон рабочих температур -55 °C to +175 °C -55 °C to +150 °C (TJ)
Корпус TO-252AA (D-Pak) TO-252AA (DPAK), surface mount
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET HEXFET (advanced process, Gen 5)
Статус RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Уровень MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Avalanche Rated Yes Yes (fully avalanche rated)
Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC = 25 °C — -13 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS = -10 V — 205 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Total Gate Charge (Qg) typ — 70 nC
Power Dissition (PD) at TC = 25 °C — 66 W
Lead-Free / RoHS Status — Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix)
RDS(on) Test Conditions — VGS = -10 V, ID = -7.0 A

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену