IRFR220NTRPBF vs IRFR2405TRPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRFR220NTRPBF от Infineon и IRFR2405TRPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRFR220NTRPBF IRFR220NTRPBF - 200V 5A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR220NTRPBF - 200V 5A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR220NTRPBF ✓ Активен
Infineon
IRFR2405TRPBF IRFR2405TRPBF - 55V 56A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR2405TRPBF - 55V 56A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR2405TRPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRFR220NTRPBF IRFR2405TRPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,22 $0,61
FET Type N-Channel MOSFET N-Channel
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 5 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
On-Resistance Rds(on) max at VGS=10V 600 milliohm —
Total Gate Charge (Qg) 15 nC (typical per Mouser listing) 70 nC
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25°C 43 W —
Рабочая температура перехода -55°C to +150°C -55C to +175C
Корпус TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Уровень MSL 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) 1
Статус RoHS Compliant (PBF suffix) Compliant (Lead-Free PBF suffix)
Avalanche Energy Rated Yes (fully characterized) —
Lead-Free Yes (PBF suffix indicates Pb-free plating) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Status — Active
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 56 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 16 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 5V]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 110 W
Число выводов — 3 (Gate, Drain, Source) + Tab
Без галогенов — [DATA_NEEDED: halogen-free status]
Avalanche Rated — Yes (100% avalanche tested)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену