IRFR2405TRPBF vs IRFR9120NTRPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRFR2405TRPBF от Infineon и IRFR9120NTRPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRFR2405TRPBF IRFR2405TRPBF - 55V 56A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR2405TRPBF - 55V 56A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR2405TRPBF ✓ Активен
Infineon
IRFR9120NTRPBF IRFR9120NTRPBF - 100V P-Channel HEXFET MOSFET, 6.6A | Infineon

IRFR9120NTRPBF - 100V P-Channel HEXFET MOSFET, 6.6A | Infineon

IRFR9120NTRPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRFR2405TRPBF IRFR9120NTRPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,61 $0,32
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET fifth-generation IR MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V -100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 56 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] +/-20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 16 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 5V] —
Total Gate Charge (Qg) 70 nC 18 nC (typical)
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
Рабочая температура перехода -55C to +175C —
Корпус TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK), surface mount
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Число выводов 3 (Gate, Drain, Source) + Tab —
Уровень MSL 1 1 (unlimited floor life)
Статус RoHS Compliant (Lead-Free PBF suffix) Compliant
Без галогенов [DATA_NEEDED: halogen-free status] —
Avalanche Rated Yes (100% avalanche tested) —
Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — -6.6 A
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=-10V — 480 milliohm
Continuous Power Dissipation (PD) at TC=25C — 40 W
Диапазон рабочей температуры перехода — -55C to +175C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — [DATA_NEEDED: RthJC]
Lead Finish / Plating — Pb-free (PBF suffix), Matte Tin
Moisture Sensitivity — MSL1 per JEDEC J-STD-020

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену