IRFR3411TRPBF vs IRFR4615TRLPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRFR3411TRPBF от Infineon и IRFR4615TRLPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRFR3411TRPBF IRFR3411TRPBF - 100V 32A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR3411TRPBF - 100V 32A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR3411TRPBF ✓ Активен
Infineon
IRFR4615TRLPBF IRFR4615TRLPBF - 150V 33A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR4615TRLPBF - 150V 33A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR4615TRLPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRFR3411TRPBF IRFR4615TRLPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,55 $0,39
Polarity N-Channel —
FET Type MOSFET (Metal Oxide) —
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) 100 V —
RDS(on) max @ VGS=10V 44 mOhm —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc 32 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (Pd) @ Tc 130 W —
Gate Charge (Qg) 48 nC —
Operating Mode Enhancement —
Maximum Junction Temperature 175 C —
Диапазон рабочих температур -55 C to +175 C -55C to +175C
Корпус TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Количество выводов 3 —
Technology HEXFET Power MOSFET (IR) IR MOSFET (N-Channel Enhancement Mode)
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) —
dv/dt Rating Dynamic dv/dt rated —
Lead-Free / RoHS Yes (Lead-free, PBF suffix) Yes (PBF suffix indicates Pb-free)
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 42 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 26 nC
Gate-Source Charge (Qgs) — [DATA_NEEDED: Qgs]
Gate-Drain Charge (Qgd) — [DATA_NEEDED: Qgd]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 144 W
Avalanche Energy (EAS) — 109 mJ
Энергия одиночного лавинного импульса — 109 mJ

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену