IRFR3710ZTRPBF vs IRFR4105TRPBF Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IRFR3710ZTRPBF от Infineon и IRFR4105TRPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | IRFR3710ZTRPBF | IRFR4105TRPBF |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,42 | $0,58 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 56 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed IDM] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 18 mOhm | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 140 W | — |
| Рабочая температура перехода | -55C to +175C | — |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | HEXFET (5th generation IR MOSFET) |
| Корпус | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant (lead-free, PBF suffix) |
| Lead-Free | Yes | — |
| Тип транзистора | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DS max) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (I_D at Tc) | — | 27 A |
| On-Resistance (R_DS(on) max at V_GS=10V) | — | 45 milliohm |
| Gate-Source Voltage (V_GS max) | — | 20 V |
| Total Gate Charge (Q_G) | — | 22.7 nC |
| Power Dissipation (P_D at Tc) | — | 68 W |
| Диапазон рабочих температур | — | -55C to +175C |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] |
| Packaging Type | — | Tape and Reel (TRPBF) |
| Уровень MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Avalanche Energy (E_AS) | — | [DATA_NEEDED: E_AS rating] |