IRFR4105TRPBF vs IRFZ44NPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRFR4105TRPBF от Infineon и IRFZ44NPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRFR4105TRPBF IRFR4105TRPBF - 55V 27A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR4105TRPBF - 55V 27A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR4105TRPBF ✓ Активен
Infineon
IRFZ44NPBF IRFZ44NPBF - 55V 49A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFZ44NPBF - 55V 49A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFZ44NPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRFR4105TRPBF IRFZ44NPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,58 $0,65
Тип транзистора N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (5th generation IR MOSFET) HEXFET (Advanced Process)
Drain-Source Voltage (V_DS max) 55 V —
Continuous Drain Current (I_D at Tc) 27 A —
On-Resistance (R_DS(on) max at V_GS=10V) 45 milliohm —
Gate-Source Voltage (V_GS max) 20 V —
Total Gate Charge (Q_G) 22.7 nC —
Power Dissipation (P_D at Tc) 68 W —
Корпус TO-252AA (DPAK) TO-220AB (3-pin + tab)
Тип монтажа Surface Mount Through Hole
Диапазон рабочих температур -55C to +175C —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th) typ) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] —
Статус RoHS Compliant (lead-free, PBF suffix) Compliant
Packaging Type Tape and Reel (TRPBF) —
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Avalanche Energy (E_AS) [DATA_NEEDED: E_AS rating] —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 49 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 17.5 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 42 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 94 W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — 1.0 C/W
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) — 62 C/W
Рабочая температура перехода — -55C to +175C
Avalanche Energy Rating (EAS) — [DATA_NEEDED: EAS rating]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену