IRFR5410TRPBF vs IRLR2905TRPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRFR5410TRPBF от Infineon и IRLR2905TRPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF - 55V 42A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR2905TRPBF - 55V 42A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR2905TRPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRFR5410TRPBF IRLR2905TRPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,71 $0,61
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC = 25 °C -13 A —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS = -10 V 205 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) typ 70 nC —
Корпус TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK), surface mount
Power Dissition (PD) at TC = 25 °C 66 W —
Диапазон рабочих температур -55 °C to +150 °C (TJ) —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (advanced process, Gen 5) HEXFET (IR MOSFET, fifth generation)
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) Yes
Lead-Free / RoHS Status Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix) —
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
RDS(on) Test Conditions VGS = -10 V, ID = -7.0 A —
FET Type — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 42 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 27 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Gate Charge (Qg) — 32 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 110 W
Рабочая температура перехода — -55C to +175C
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant
Gate Drive — Logic-level compatible

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену