IRFR5410TRPBF vs IRLR2905TRPBF 비교

다음의 상세 나란히 비교: IRFR5410TRPBF 제조: Infineon 및 IRLR2905TRPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IRFR5410TRPBF IRLR2905TRPBF
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.71 $0.61
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC = 25 °C -13 A —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS = -10 V 205 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) typ 70 nC —
패키지 TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK), surface mount
Power Dissition (PD) at TC = 25 °C 66 W —
동작 온도 범위 -55 °C to +150 °C (TJ) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (advanced process, Gen 5) HEXFET (IR MOSFET, fifth generation)
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) Yes
Lead-Free / RoHS Status Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix) —
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
RDS(on) Test Conditions VGS = -10 V, ID = -7.0 A —
FET Type — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 42 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 27 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Gate Charge (Qg) — 32 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 110 W
동작 접합 온도 — -55C to +175C
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant
Gate Drive — Logic-level compatible

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