IRLB8748PBF vs IRFB4110PBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRLB8748PBF от Infineon и IRFB4110PBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRLB8748PBF IRLB8748PBF - 30V 92A N-Channel StrongIRFET MOSFET | Infineon

IRLB8748PBF - 30V 92A N-Channel StrongIRFET MOSFET | Infineon

IRLB8748PBF ✓ Активен
Infineon
IRFB4110PBF IRFB4110PBF - 100V N-Channel MOSFET, 120A, TO-220AB | Infineon

IRFB4110PBF - 100V N-Channel MOSFET, 120A, TO-220AB | Infineon

IRFB4110PBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRLB8748PBF IRFB4110PBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,68 $1,55
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 92 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 4.8 mOhm 4.5 mΩ
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) 15 nC typical —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 75 W —
Диапазон рабочих температур -55C to +175C (junction) —
Package Type TO-220AB through-hole —
Тип монтажа Through Hole Through Hole
Technology Family StrongIRFET / HEXFET —
Channel Type N-Channel —
Logic-Level Gate Drive Yes (optimized for 5V VGS) —
Статус RoHS Compliant (Pb-free PBF suffix) Compliant (Pb-free suffix)
Qualification Standard JEDEC (Industrial market per datasheet) —
Тип транзистора — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 120 A (bond-wire limited)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V — 3.7 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 370 W
Рабочая температура перехода — -55 °C to +175 °C
Корпус — TO-220AB (through-hole)
Technology — HEXFET (planar DMOS)
Lead-Free — Yes (PBF suffix denotes Pb-free)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену