IRLML2060TRPBF vs IRLML0030TRPBF Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IRLML2060TRPBF от Infineon и IRLML0030TRPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | IRLML2060TRPBF | IRLML0030TRPBF |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,13 | $0,13 |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 1.2 A | 5.3 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 4.8 A | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | +/- 12 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.8 V typical | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 480 mOhm | — |
| RDS(on) max at VGS=4.5V | 650 mOhm (typical 580 mOhm) | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 1.25 W | 1.3 W |
| Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthetaJA) | 100 C/W | — |
| Рабочая температура перехода | -55C to +150C | — |
| Корпус | SOT-23 (Micro3, 3-pin) | Micro3 / SOT-23 (3-pin) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | IR HEXFET (Trench Gate) | IR HEXFET Power MOSFET |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Без галогенов | Yes | — |
| Уровень MSL | MSL1 | 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | — | 27 mOhm at VGS=4.5V |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | Logic-level (5 V optimized) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 3.6 nC typical |
| Диапазон рабочих температур | — | -55C to +150C |
| Soldering | — | Wave-solder capable |
| Qualification | — | JEDEC standard |