IRLR120NTRPBF vs IRFR220NTRLPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRLR120NTRPBF от Infineon и IRFR220NTRLPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF - 100V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR120NTRPBF - 100V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR120NTRPBF ✓ Активен
Infineon
IRFR220NTRLPBF IRFR220NTRLPBF - 200V 5A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR220NTRLPBF - 200V 5A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR220NTRLPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRLR120NTRPBF IRFR220NTRLPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,27 $0,22
FET Type N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (Fifth Generation, planar) —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 10 A 5 A
Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed Idm] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Rds(on) Max at Vgs=10V 185 mΩ —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)] —
Total Gate Charge (Qg) 13.3 nC [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 48 W 43 W
Диапазон рабочих температур -55C to +175C (junction) -55C to +150C (junction)
Корпус TO-252AA (DPAK), 3-pin surface mount TO-252AA (DPAK), 2 Leads + Tab, SC-63
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rating Fully avalanche rated —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix indicates lead-free) —
Уровень MSL 1 1
Polarity — N-Channel
Mode — Enhancement
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) — 200 V
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 0.800 ohm (max)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Gate-to-Drain Charge (Qgd) — Low (per datasheet - HEXFET design)
Статус RoHS — Compliant (Pb-free PBF suffix)
Packaging — Tape & Reel (Left orientation - TRLPBF)
Avalanche Rated — Yes (HEXFET ruggedized design)
Technology Family — HEXFET, Planar, Generation 3

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену