IRLR3410TRPBF vs IRLR2705TRPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRLR3410TRPBF от Infineon и IRLR2705TRPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRLR3410TRPBF IRLR3410TRPBF - 100V 17A N-Channel HEXFET MOSFET DPAK | Infineon

IRLR3410TRPBF - 100V 17A N-Channel HEXFET MOSFET DPAK | Infineon

IRLR3410TRPBF ✓ Активен
Infineon
IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF - 55V 28A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR2705TRPBF - 55V 28A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR2705TRPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRLR3410TRPBF IRLR2705TRPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,81 $0,36
FET Type N-Channel N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Technology HEXFET (IR MOSFET, 5th generation) HEXFET (IR MOSFET generation 5)
Drain-Source Voltage (Vdss) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 17 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 79 W —
On-Resistance RDS(on) max 105 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) Logic-level (drive ~4.5V) —
Total Gate Charge (Qg) 22.7 nC 16.7 nC
Корпус TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Диапазон рабочих температур -55C to +175C (junction) —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix) Yes (Pb-free, RoHS compliant)
Уровень MSL 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH) [DATA_NEEDED: MSL rating per JEDEC J-STD-020]
Drain Tab Connection Tab electrically tied to Drain —
Polarity N-Channel enhancement mode —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 28 A
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — [DATA_NEEDED: ID at TA=25C with 1in2 copper]
RDS(on) Max at VGS=10V — 40 mOhm
RDS(on) Max at VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V]
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS absolute max, +/-V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — Logic-Level (compatible with 4V drive)
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 68 W
Power Dissipation (PD) at TA=25C — [DATA_NEEDED: PD at TA=25C with 1in2 copper]
Рабочая температура перехода — -55C to +175C
Avalanche Rated — Yes

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену