IRLZ34NSTRLPBF vs IRF5305STRLPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRLZ34NSTRLPBF от Infineon и IRF5305STRLPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF - 55V 30A N-Ch HEXFET MOSFET, D2PAK | Infineon

IRLZ34NSTRLPBF - 55V 30A N-Ch HEXFET MOSFET, D2PAK | Infineon

IRLZ34NSTRLPBF ✓ Активен
Infineon
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF - 55V P-Ch MOSFET 31A 60mΩ | Infineon

IRF5305STRLPBF - 55V P-Ch MOSFET 31A 60mΩ | Infineon

IRF5305STRLPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRLZ34NSTRLPBF IRF5305STRLPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,58 $0,92
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 110 A —
RDS(on) at VGS=5V 35 mOhm (typical) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level (5 V drive compatible) —
Total Gate Charge (Qg) 16.7 nC 42 nC (Mouser listing) / 63 nC (Future Electronics listing)
Power Dissipation (Ta) 3.8 W —
Power Dissipation (Tc) 68 W —
Диапазон рабочих температур [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: Tj max / operating range]
Корпус D2PAK (TO-263), surface mount TO-263 / D2PAK (surface mount)
Built-in Body Diode Yes —
Configuration Single with built-in diode —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Switching Frequency Optimization Below 100 kHz —
Cell Structure HEXFET planar (5th generation) —
Qualification JEDEC standard —
Статус RoHS Compliant (Pb-free) —
Polarity / Channel Type — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — -31 A
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — [DATA_NEEDED: ID at TA=25C]
RDS(on) max at VGS=-10V — 60 mOhm
RDS(on) max at VGS=-4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
Maximum Power Dissition at Tc — 110 W
Maximum Power Dissipation at TA — 3.8 W
Technology — HEXFET (fifth generation), IR MOSFET
Packaging — Tape & Reel (TR), 800 pcs per reel
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-free suffix PBF)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену