ISC009N06LM5ATMA1 vs BSC027N06LS5ATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок ISC009N06LM5ATMA1 от Infineon и BSC027N06LS5ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
ISC009N06LM5ATMA1 ISC009N06LM5ATMA1 - 60V N-Channel OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

ISC009N06LM5ATMA1 - 60V N-Channel OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

ISC009N06LM5ATMA1 ✓ Активен
Infineon
BSC027N06LS5ATMA1 BSC027N06LS5ATMA1 - 60V 2.7mOhm N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

BSC027N06LS5ATMA1 - 60V 2.7mOhm N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

BSC027N06LS5ATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр ISC009N06LM5ATMA1 BSC027N06LS5ATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $2,86 $0,66
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 OptiMOS™ 5
Technology OptiMOS 5 60V N-channel trench MOSFET MOSFET (Metal Oxide)
Тип транзистора N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 41 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 348 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed IDM]
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS maximum rating] —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS threshold typical] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 0.9 mOhm —
Power Dissipation at Ta (PD) 3 W —
Power Dissipation at Tc (PD) 214 W —
Диапазон рабочих температур -55 C to +175 C -55°C to +150°C
Корпус PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6) —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Статус RoHS Compliant Compliant
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — Logic-level
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 100 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100°C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V — 2.7 mOhm
On-Resistance (RDS(on)) @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 83 W
Корпус / Типоразмер — PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6)
Число выводов — 8
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total Qg]
Avalanche Energy Rated — Yes
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену