ISC009N06LM5ATMA1 vs BSC027N06LS5ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: ISC009N06LM5ATMA1 제조: Infineon 및 BSC027N06LS5ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
BSC027N06LS5ATMA1 BSC027N06LS5ATMA1 - 60V 2.7mOhm N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

BSC027N06LS5ATMA1 - 60V 2.7mOhm N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

BSC027N06LS5ATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 ISC009N06LM5ATMA1 BSC027N06LS5ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $2.86 $0.66
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 OptiMOS™ 5
Technology OptiMOS 5 60V N-channel trench MOSFET MOSFET (Metal Oxide)
트랜지스터 유형 N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 41 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 348 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed IDM]
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS maximum rating] —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS threshold typical] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 0.9 mOhm —
Power Dissipation at Ta (PD) 3 W —
Power Dissipation at Tc (PD) 214 W —
동작 온도 범위 -55 C to +175 C -55°C to +150°C
패키지 PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS 상태 Compliant Compliant
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — Logic-level
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 100 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100°C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V — 2.7 mOhm
On-Resistance (RDS(on)) @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 83 W
패키지 / 케이스 — PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6)
핀 수 — 8
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total Qg]
Avalanche Energy Rated — Yes
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1

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