ISC011N03L5SATMA1 vs IQDH35N03LM5CGATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок ISC011N03L5SATMA1 от Infineon и IQDH35N03LM5CGATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
IQDH35N03LM5CGATMA1 - 30V 700A 0.35mΩ N-Channel MOSFET | Infineon
IQDH35N03LM5CGATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | ISC011N03L5SATMA1 | IQDH35N03LM5CGATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,47 | $1,45 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 5 / StrongIRFET 30 V | — |
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C | 37 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C | 100 A | — |
| Power Dissipation (PD) @ Ta=25C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25C | 96 W | — |
| Корпус | PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 8-pin, exposed pad) | PG-TTFN-9-U02 (PQFN 5x6 mm²) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Рабочая температура | -55 C to +175 C (TJ) | — |
| Technology | OptiMOS 5 trench MOSFET | OptiMOS 5 trench MOSFET |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Уровень MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 66 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | — | 700 A |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 0.35 mΩ (typical at VGS=10 V) |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 278 W |
| Диапазон рабочих температур | — | -55 °C to +175 °C |
| Без галогенов | — | Yes |
| Channel Type | — | N-Channel |