ISC011N06LM5ATMA1 vs IPLU300N04S41R1XTMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок ISC011N06LM5ATMA1 от Infineon и IPLU300N04S41R1XTMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
ISC011N06LM5ATMA1 ISC011N06LM5ATMA1 - 60V 1.1mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC011N06LM5ATMA1 - 60V 1.1mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC011N06LM5ATMA1 ✓ Активен
Infineon
IPLU300N04S41R1XTMA1 IPLU300N04S41R1XTMA1 - 40V 300A 1.15mΩ Automotive MOSFET | Infineon

IPLU300N04S41R1XTMA1 - 40V 300A 1.15mΩ Automotive MOSFET | Infineon

IPLU300N04S41R1XTMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр ISC011N06LM5ATMA1 IPLU300N04S41R1XTMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,74 $3,45
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number ISC011N06LM5ATMA1 IPLU300N04S41R1XTMA1
Technology OptiMOS 5 OptiMOS (Trench MOSFET)
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 37 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 288 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 188 W —
RDS(on) max at VGS=10V 1.15 mOhm —
Корпус PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm) PG-HSOF-8-1 (8-PowerSFN, surface mount)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Число выводов 8 —
Диапазон рабочих температур -55C to +175C —
Статус RoHS Compliant —
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 40 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) — 300 A
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) — 300 W
R<sub>DS(on)</sub> Max (V<sub>GS</sub>=10 V, I<sub>D</sub>=100 A) — 1.15 mΩ
Gate Charge (Q<sub>g</sub>, V<sub>GS</sub>=10 V) — 151 nC
Input Capacitance (C<sub>iss</sub>, V<sub>DS</sub>=25 V) — 12,090 pF
Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) — ±20 V
Рабочая температура перехода — 175 °C
Peak Reflow Temperature (AEC-Q) — 260 °C
Avalanche Rating — 100% Avalanche Tested
RoHS Compliance — Yes (Green Product)
Lead-Free — Yes (100% lead-free)
Configuration — Single with built-in diode
Packing — Tape & Reel (TR)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену