ISC011N06LM5ATMA1 vs IPLU300N04S41R1XTMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: ISC011N06LM5ATMA1 제조: Infineon 및 IPLU300N04S41R1XTMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 ISC011N06LM5ATMA1 IPLU300N04S41R1XTMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.74 $3.45
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number ISC011N06LM5ATMA1 IPLU300N04S41R1XTMA1
Technology OptiMOS 5 OptiMOS (Trench MOSFET)
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 37 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 288 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 188 W —
RDS(on) max at VGS=10V 1.15 mOhm —
패키지 PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm) PG-HSOF-8-1 (8-PowerSFN, surface mount)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
핀 수 8 —
동작 온도 범위 -55C to +175C —
RoHS 상태 Compliant —
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL level] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 40 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) — 300 A
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) — 300 W
R<sub>DS(on)</sub> Max (V<sub>GS</sub>=10 V, I<sub>D</sub>=100 A) — 1.15 mΩ
Gate Charge (Q<sub>g</sub>, V<sub>GS</sub>=10 V) — 151 nC
Input Capacitance (C<sub>iss</sub>, V<sub>DS</sub>=25 V) — 12,090 pF
Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) — ±20 V
동작 접합 온도 — 175 °C
Peak Reflow Temperature (AEC-Q) — 260 °C
Avalanche Rating — 100% Avalanche Tested
RoHS Compliance — Yes (Green Product)
Lead-Free — Yes (100% lead-free)
Configuration — Single with built-in diode
Packing — Tape & Reel (TR)

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