ISC015N04NM5ATMA1 vs ISC080N10NM6ATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок ISC015N04NM5ATMA1 от Infineon и ISC080N10NM6ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
ISC015N04NM5ATMA1 ISC015N04NM5ATMA1 - 40V 1.5mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC015N04NM5ATMA1 - 40V 1.5mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC015N04NM5ATMA1 ✓ Активен
Infineon
ISC080N10NM6ATMA1 ISC080N10NM6ATMA1 - 100V OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon

ISC080N10NM6ATMA1 - 100V OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon

ISC080N10NM6ATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр ISC015N04NM5ATMA1 ISC080N10NM6ATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,98 $1,05
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 40V Normal Level —
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.4 V (typ) 3.3 V at 36 µA
R_DS(on) max 1.5 mOhm @ VGS=10 V, ID=50 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 33 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 206 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Power Dissipation (Tc) 115 W —
Диапазон рабочих температур -55 C to +175 C (junction, per OptiMOS 5) -55°C to +175°C (TJ max, per datasheet)
Корпус / Типоразмер PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Число выводов 8 —
Статус RoHS Compliant Compliant
Уровень MSL 1 (per Infineon SuperSO8 family) 1 (per JEDEC J-STD-020, per datasheet)
Drive Level Normal Level (VGS(th) ~3.4 V) —
Product Family — OptiMOS™ 6 100V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 13 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 75 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 100 W
On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V, ID=20A — 8.05 mΩ
Корпус — PG-TDSON-8 FL (TDSON EP)
Lead-Free — Yes
Без галогенов — Yes
Qualification — Industrial grade (per Infineon OptiMOS 6 100V family)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену