ISC015N04NM5ATMA1 vs ISC080N10NM6ATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: ISC015N04NM5ATMA1 제조: Infineon 및 ISC080N10NM6ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | ISC015N04NM5ATMA1 | ISC080N10NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.98 | $1.05 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 40V Normal Level | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (trench MOSFET) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.4 V (typ) | 3.3 V at 36 µA |
| R_DS(on) max | 1.5 mOhm @ VGS=10 V, ID=50 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 33 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 206 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 115 W | — |
| 동작 온도 범위 | -55 C to +175 C (junction, per OptiMOS 5) | -55°C to +175°C (TJ max, per datasheet) |
| 패키지 / 케이스 | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 핀 수 | 8 | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| MSL 레벨 | 1 (per Infineon SuperSO8 family) | 1 (per JEDEC J-STD-020, per datasheet) |
| Drive Level | Normal Level (VGS(th) ~3.4 V) | — |
| Product Family | — | OptiMOS™ 6 100V |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 13 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 75 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 100 W |
| On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V, ID=20A | — | 8.05 mΩ |
| 패키지 | — | PG-TDSON-8 FL (TDSON EP) |
| Lead-Free | — | Yes |
| 할로겐 프리 | — | Yes |
| Qualification | — | Industrial grade (per Infineon OptiMOS 6 100V family) |