ISC016N08NM8ATMA1 vs IAUC50N08S5L096ATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок ISC016N08NM8ATMA1 от Infineon и IAUC50N08S5L096ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
ISC016N08NM8ATMA1 ISC016N08NM8ATMA1 - 80V N-Ch OptiMOS 8 MOSFET | Infineon

ISC016N08NM8ATMA1 - 80V N-Ch OptiMOS 8 MOSFET | Infineon

ISC016N08NM8ATMA1 ✓ Активен
Infineon
IAUC50N08S5L096ATMA1 IAUC50N08S5L096ATMA1 - 80V 50A 9.6mΩ OptiMOS 5 | Infineon

IAUC50N08S5L096ATMA1 - 80V 50A 9.6mΩ OptiMOS 5 | Infineon

IAUC50N08S5L096ATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр ISC016N08NM8ATMA1 IAUC50N08S5L096ATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,02 $0,98
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS 8 OptiMOS 5
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS max) 80 V —
Gate-Source Voltage (VGS max) +/-20 V (typical rating) —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 29 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc [DATA_NEEDED: pulsed/continuous current rating at Tc] —
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc 268 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 263 W —
On-State Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 1.6 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Диапазон рабочих температур -55 C to +150 C (junction) -55°C to +175°C
Корпус SuperSO8 / PG-TDSON-8 (5.0 x 6.0 mm) PG-TDSON-8-33 (5x6 mm)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Technology Trench-gate OptiMOS 8 (silicon) —
Статус RoHS Compliant Compliant
Lead-Free / Halogen-Free Lead-free (per Infineon product page) —
Уровень MSL 1 (per JEDEC J-STD-020E classification for SuperSO8) [DATA_NEEDED: MSL level]
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) — 50 A (Tc)
Pulsed Drain Current (IDM) — 200 A
On-Resistance (RDS(on)) — 9.6 mΩ max @ VGS=10V, ID=25A
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Power Dissipation (PD) — 60 W (Tc)
Automotive Qualification — AEC-Q101
Lead-Free — Yes

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену