ISC030N12NM6ATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок ISC030N12NM6ATMA1 от Infineon и ISC015N06NM5ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | ISC030N12NM6ATMA1 | ISC015N06NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $1,62 | $0,62 |
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS 6 (trench) | Trench MOSFET (OptiMOS 5) |
| Drain-Source Voltage (VDS max) | 120 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) | 194 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 21 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 3.4 mOhm @ VGS=10 V | — |
| On-Resistance RDS(on) typical | 3.0 mOhm @ VGS=10 V | — |
| Рассеиваемая мощность (TC=25°C) | 250 W | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| Корпус | PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Рабочая температура | -55 C to +175 C (junction) | — |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 10 V (full RDS(on)) | — |
| Configuration | Single N-channel, source-down | — |
| Packaging (suffix) | Tape & Reel (ATMA1) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 5 |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 33 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C | — | 259 A |
| On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V | — | 1.5 mOhm |
| Total Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Total Power Dissipation (TC) | — | 188 W |
| Диапазон рабочих температур | — | -55 C to +175 C |
| Статус RoHS | — | Compliant |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | — | 1 |