ISC040N10NM7ATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок ISC040N10NM7ATMA1 от Infineon и ISC015N06NM5ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
ISC040N10NM7ATMA1 - 100V 130A OptiMOS 7 N-Channel MOSFET | Infineon
ISC040N10NM7ATMA1 ✓ Активен
Сравнение характеристик
| Параметр | ISC040N10NM7ATMA1 | ISC015N06NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,92 | $0,62 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 7 | OptiMOS 5 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | 18 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 130 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25°C | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | 150 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] | — |
| RDS(on) @ VGS=10V | [DATA_NEEDED: RDS(on) max in mohm] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typ] | — |
| Корпус | PG-TDSON-8-34 (SSO8) | PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Диапазон рабочих температур | -55°C to +175°C (TJ max) | -55 C to +175 C |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Уровень MSL | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 33 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C | — | 259 A |
| On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V | — | 1.5 mOhm |
| Total Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Total Power Dissipation (TC) | — | 188 W |
| Technology | — | Trench MOSFET (OptiMOS 5) |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | — | 1 |