ISC056N08NM6ATMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок ISC056N08NM6ATMA1 от Infineon и ISC011N04NM7VATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | ISC056N08NM6ATMA1 | ISC011N04NM7VATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,78 | $0,41 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | ISC056N08NM6ATMA1 | — |
| Series | OptiMOS 6 | — |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS 6) | Trench MOSFET, silicon |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 15.3 A | 38 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 88 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 100 W | — |
| Корпус | PG-TDSON-8 FL (TDSON-8 Flat Lead) | PG-TDSON-8 (source-down) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Polarity | N-Channel | — |
| Диапазон рабочих температур | -55°C to +175°C | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| Уровень MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Статус RoHS | Compliant | — |
| Product Family | — | OptiMOS 7 Power-Transistor |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 256 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 1.1 mΩ |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 136 W |
| Gate Threshold Voltage (Vth) | — | Up to 3.2 V |
| Short-Circuit Withstand | — | Yes (current-limited) |
| RoHS Compliance | — | Compliant (per Infineon product page) |