ISC058N04NM5ATMA1 vs ISC009N06LM5ATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок ISC058N04NM5ATMA1 от Infineon и ISC009N06LM5ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
ISC058N04NM5ATMA1 ISC058N04NM5ATMA1 - 40V 63A 5.8mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC058N04NM5ATMA1 - 40V 63A 5.8mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC058N04NM5ATMA1 ✓ Активен
Infineon
ISC009N06LM5ATMA1 ISC009N06LM5ATMA1 - 60V N-Channel OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

ISC009N06LM5ATMA1 - 60V N-Channel OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

ISC009N06LM5ATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр ISC058N04NM5ATMA1 ISC009N06LM5ATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,60 $2,86
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 40V Normal Level —
Тип транзистора N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 63 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 17 A —
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10V, ID=31A 5.8 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.4 V —
Power Dissipation (TA=25C) 3 W —
Power Dissipation (TC=25C) 42 W —
Корпус PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 trench MOSFET OptiMOS 5 60V N-channel trench MOSFET
Диапазон рабочих температур -55C to +175C -55 C to +175 C
RoHS Compliance RoHS Compliant —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL per JEDEC J-STD-020 —
Gate Drive Level Normal Level (10V VGS recommended) —
Series — OptiMOS 5
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 41 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 348 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS maximum rating]
Gate-Source Threshold (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS threshold typical]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 0.9 mOhm
Power Dissipation at Ta (PD) — 3 W
Power Dissipation at Tc (PD) — 214 W
Уровень MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Статус RoHS — Compliant

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену