ISC060N10NM6ATMA1 vs ISC110N12NM6ATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок ISC060N10NM6ATMA1 от Infineon и ISC110N12NM6ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
ISC060N10NM6ATMA1 - 100V 97A OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon
ISC060N10NM6ATMA1 ✓ Активен
Сравнение характеристик
| Параметр | ISC060N10NM6ATMA1 | ISC110N12NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $1,43 | $0,51 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 6 100 V | — |
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 120 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 15 A | 11 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 97 A | 62 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 6 mΩ at VGS = 10 V, ID = 25 A | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.3 V (typical) | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 125 W | — |
| Диапазон рабочих температур | -55 °C to +175 °C (TJ) | — |
| Корпус | PG-TDSON-8 FL (5.15 x 6.15 mm) | SuperSO8 (TDSON-8) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 6 (thin-wafer trench) | — |
| Polarity | N-Channel | N-Channel |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Уровень MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 9.8 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | 3.1 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 15.4 nC |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 1.1 nF |
| Output Capacitance (Coss) | — | 330 pF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 10 pF |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 94 W |
| Power Dissipation (Pd) at Ta | — | 3 W |
| Avalanche Energy (EAS) | — | 185 mJ |
| Рабочая температура перехода | — | -55 °C to +175 °C |