ISC0703NLSATMA1 vs IAUT300N08S5N011ATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок ISC0703NLSATMA1 от Infineon и IAUT300N08S5N011ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
ISC0703NLSATMA1 ISC0703NLSATMA1 - 60V N-Ch MOSFET, 57A, PG-TDSON-8 | Infineon

ISC0703NLSATMA1 - 60V N-Ch MOSFET, 57A, PG-TDSON-8 | Infineon

ISC0703NLSATMA1 ✓ Активен
Infineon
IAUT300N08S5N011ATMA1 IAUT300N08S5N011ATMA1 - 80V N-Ch 1.1mOhm Automotive MOSFET

IAUT300N08S5N011ATMA1 - 80V N-Ch 1.1mOhm Automotive MOSFET

IAUT300N08S5N011ATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр ISC0703NLSATMA1 IAUT300N08S5N011ATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,51 $5,40
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 13 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 57 A —
Power Dissipation (PD) at Ta=25C 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 44 W —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS family) OptiMOS 5 (trench MOSFET)
Корпус PG-TDSON-8 (5x6 mm) PG-HSOF-8-1 (TOLL 10x12 mm)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Диапазон рабочих температур -55C to +150C (junction) -55C to +175C
Standard Package Quantity 5,000 (reel) —
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1
Статус RoHS Compliant —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] —
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Avalanche Energy (EAS) [DATA_NEEDED: EAS rating] —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 80 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) — 300 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — 410 A (Tj)
R_DS(on) max — 1.10 mOhm at V_GS=10 V
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 3.8 V
Total Gate Charge (Q_g) — 231 nC at V_GS=10 V
Input Capacitance (C_iss) — 16.25 nF
Output Capacitance (C_oss) — 2.6 nF
Reverse Transfer Capacitance (C_rss) — 130 pF
Power Dissipation (P_D) — 375 W at T_C=25C
Qualification — Automotive (AEC-Q101)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену