ISC0805NLSATMA1 vs ISC110N12NM6ATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок ISC0805NLSATMA1 от Infineon и ISC110N12NM6ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | ISC0805NLSATMA1 | ISC110N12NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,82 | $0,51 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS™ 5 | — |
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 120 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 13 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 71 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 74 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 10.7 mΩ at 4.5V VGS; [DATA_NEEDED: RDS(on) max at 10V] | 9.8 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | 10.7 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 2.3 V | — |
| Gate Charge Qg typ at VGS=4.5V | 16 nC | — |
| Input Capacitance Ciss | 2.2 nF | — |
| Reverse Transfer Capacitance Crss | 23 pF | — |
| Output Capacitance Coss | 360 pF | — |
| Корпус | PG-TDSON-8-46 (SuperSO8 5x6) | SuperSO8 (TDSON-8) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Диапазон рабочих температур | -55 °C to +150 °C | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Polarity | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 11 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 62 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | 3.1 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 15.4 nC |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 1.1 nF |
| Output Capacitance (Coss) | — | 330 pF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 10 pF |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 94 W |
| Power Dissipation (Pd) at Ta | — | 3 W |
| Avalanche Energy (EAS) | — | 185 mJ |
| Рабочая температура перехода | — | -55 °C to +175 °C |