ISC300N20NM6ATMA1 vs ISC151N08NM6ATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок ISC300N20NM6ATMA1 от Infineon и ISC151N08NM6ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
ISC300N20NM6ATMA1 ISC300N20NM6ATMA1 - 200V 44A OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon

ISC300N20NM6ATMA1 - 200V 44A OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon

ISC300N20NM6ATMA1 ✓ Активен
Infineon
ISC151N08NM6ATMA1 ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр ISC300N20NM6ATMA1 ISC151N08NM6ATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $3,15 $0,78
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 6 200V —
Тип транзистора N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at TC 44 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 6.5 A —
Power Dissipation (PD) at TC 136 W —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 27 mΩ (typical) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4.5 V —
Корпус PG-TDSON-8 PG-TDSON-8 FL
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 6 OptiMOS 6
Operating Mode Enhancement —
Статус RoHS Compliant Compliant
Continuous Drain Current (TA=25°C) — 9.2 A
Непрерывный ток стока (TC=25°C) — 37 A
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 48 W
On-Resistance RDS(on) max — 15.1 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.5 V
Количество выводов — 8
Channel Mode — Enhancement
Рабочая температура — -55 °C to +175 °C

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену