ISZ033N03LF2SATMA1 vs ISC015N03LF2SATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок ISZ033N03LF2SATMA1 от Infineon и ISC015N03LF2SATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
ISZ033N03LF2SATMA1 - 30V 109A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
ISZ033N03LF2SATMA1 ✓ Активен
Сравнение характеристик
| Параметр | ISZ033N03LF2SATMA1 | ISC015N03LF2SATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,68 | $0,96 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 20 A | 43 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 109 A | 214 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 71 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.35 V max @ 30 uA | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typ] | — |
| Рабочая температура перехода | -55 C to +175 C | — |
| Корпус | PG-TSDSON-8 FL (8-pin) | PG-TDSON-8-62 (TDSON EP) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS™ 2 (<= 40 V trench) |
| Channel Type | — | N-Channel |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 1.5 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | 2.35 V |
| Power Dissipation at TA=25C | — | 3 W |
| Power Dissipation at TC=25C | — | 125 W |
| Диапазон рабочих температур | — | -55C to +175C |
| Lead-Free | — | Yes |