ITS716GFUMA1 vs ITS4200SSJDXUMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок ITS716GFUMA1 от Infineon и ITS4200SSJDXUMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
ITS716GFUMA1 ITS716GFUMA1 - 4-Ch Smart High-Side Switch 2.3A | Infineon

ITS716GFUMA1 - 4-Ch Smart High-Side Switch 2.3A | Infineon

ITS716GFUMA1 ✓ Активен
Infineon
ITS4200SSJDXUMA1 ITS4200SSJDXUMA1 - 1.2A Smart High-Side Switch | Infineon PROFET

ITS4200SSJDXUMA1 - 1.2A Smart High-Side Switch | Infineon PROFET

ITS4200SSJDXUMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр ITS716GFUMA1 ITS4200SSJDXUMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $3,22 $0,98
Product Type Smart High-Side Power Switch —
Number of Channels 4 —
Выходная конфигурация High-side (N-Channel MOSFET) Single high-side switch
Continuous Current per Channel 2.3 A —
On-State Resistance (RON) per Channel [DATA_NEEDED: Ron typical value] —
Operating Voltage Range (Vbb) 5 V to 36 V —
Load Dump Tolerance Up to 45 V —
Standby Current [DATA_NEEDED: Iq standby typical] —
Input Logic Levels CMOS/TTL compatible, parallel interface —
Diagnostic Output Open-drain fault flag, one per channel Status pin for fault feedback
Protection Features Overload, short-circuit, over-temperature, over-voltage, ESD Overload, current limit, short circuit, thermal shutdown with restart, overvoltage (load dump), undervoltage shutdown
PWM Capability Up to 1 kHz —
Диапазон рабочих температур -40 C to +85 C (industrial grade) —
Корпус PG-DSO-20-32 (20-pin SOIC, exposed pad) PG-DSO-8 (DSO-8)
Тепловое сопротивление, переход-среда [DATA_NEEDED: theta_JA value] —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Статус RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — PROFET (MINI-PROFET)
Switch Type — High-Side N-Channel, 1:1
On-State Resistance (R_DS(on)) — 200 mOhm (typical)
Continuous Load Current — 1.2 A
Supply Voltage (Vbb) — 6 V to 52 V
Ток покоя — 0.8 mA
Maximum Power Dissipation — 1400 mW
Рабочая температура — -40 C to +150 C
Load Type — Resistive and inductive loads

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену