K4A8G045WB vs K4A8G045WB-BCRC Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4A8G045WB от Samsung Electronics и K4A8G045WB-BCRC от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung
K4A8G045WB-BCRC ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | K4A8G045WB | K4A8G045WB-BCRC |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $9,27 | $2,95 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM (B-die) | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Организация памяти | 2G x 4 | 2G x 4 |
| Скорость передачи данных | 2133 Mbps | — |
| Напряжение питания | 1.2 V | — |
| Max Supply Current | 211.7 mA | — |
| Рабочая температура | 0 C to +85 C | 0 C to 85 C |
| Корпус | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA (PBGA78) |
| Refresh Cycles | 8192 | 8192 |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Clocking | Differential clock (CK / CK#) | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT pin) | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Posted CAS | Yes | — |
| Programmable CWL | Yes | — |
| Internal (Self) Calibration | Yes | — |
| Статус RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Speed | — | 2400 Mbps |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2 V |
| Process Technology | — | Samsung B-die |
| Интерфейс | — | CMOS, differential clock (CK/CK#) |
| Maximum Supply Current | — | 211.7 mA |
| Terminals | — | 78 |
| Key DDR4 Features | — | Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, ODT, Asynchronous Reset |
| DLL Mode | — | Timing specified for DLL-enabled operation |