K4A8G085WB-BITD vs K4A8G085WB-BCRC Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4A8G085WB-BITD от Samsung Electronics и K4A8G085WB-BCRC от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2400Mbps | Samsung
K4A8G085WB-BCRC ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | K4A8G085WB-BITD | K4A8G085WB-BCRC |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $3,80 | $6,80 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Организация памяти | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Скорость передачи данных | 2666 Mbps | 2400 Mbps |
| Напряжение питания | 1.2 V | 1.2 V |
| Рабочая температура | -40°C to +95°C | 0°C to 85°C |
| Корпус | 78FBGA | 78-ball FBGA |
| Тип монтажа | Surface Mount | — |
| Количество выводов | 78 | — |
| Задержка CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Row Cycle Time (tRC) | [DATA_NEEDED: tRC] | — |
| Refresh Cycle Time (tRFC) | [DATA_NEEDED: tRFC] | — |
| Интерфейс | Parallel | — |
| Статус RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| Access Time | — | 0.175 ns |
| Technology | — | CMOS |
| Burst Length | — | 8 and 4 |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Auto-Refresh | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |