K4A8G085WC-BCRC vs K4A8G085WC-BIWE Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4A8G085WC-BCRC от Samsung Electronics и K4A8G085WC-BIWE от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | K4A8G085WC-BCRC | K4A8G085WC-BIWE |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | DRAM | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $4,30 | $6,29 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb |
| Организация памяти | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Напряжение питания | 1.2 V | — |
| Скорость передачи данных | 2400 Mbps (DDR4-2400) | 3200 Mbps |
| Корпус | 78-ball FBGA (TFBGA) | 78-FBGA |
| Terminal Pitch | 0.8 mm | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Рабочая температура | 0C to +95C | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic On-Die Termination | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Refresh | Auto/Self refresh | Auto-refresh, self-refresh |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Диапазон рабочих температур | — | -40°C to +95°C |
| Интерфейс | — | POD-12 |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Задержка CAS | — | 22 (CL22) |
| Lead-Free | — | Yes |