K4A8G165WC-BCRC vs K4A8G165WC-BCTD Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4A8G165WC-BCRC от Samsung Electronics и K4A8G165WC-BCTD от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung
K4A8G165WC-BCTD ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | K4A8G165WC-BCRC | K4A8G165WC-BCTD |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $23,00 | $41,20 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Организация памяти | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Скорость передачи данных | 2400 Mbps | 2666 Mbps (DDR4-2666) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14V to 1.26V) | — |
| VPP Voltage | 2.5 V | — |
| Рабочая температура | 0°C to +95°C (case) | 0C to +95C |
| Корпус | 96-ball FBGA (9mm x 13mm) | 96FBGA (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array) |
| Интерфейс | 16-bit I/O | — |
| Banks | 16 (4 bank groups) | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| Задержка CAS | Programmable (e.g., 16, 17, 18) | — |
| Refresh | Temperature-compensated self-refresh (TCSR) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Напряжение питания | — | 1.2 V |
| Operating Voltage Range | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Clock Frequency | — | 1.333 GHz |
| Die Revision | — | C-die |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes (240 ohm resistor to GND) |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Статус RoHS | — | Compliant |