K4A8G165WC-BCTD vs K4A8G165WB-BCTD Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4A8G165WC-BCTD от Samsung Electronics и K4A8G165WB-BCTD от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung
K4A8G165WC-BCTD ✓ Активен
Сравнение характеристик
| Параметр | K4A8G165WC-BCTD | K4A8G165WB-BCTD |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $41,20 | $37,00 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Организация памяти | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Скорость передачи данных | 2666 Mbps (DDR4-2666) | 2666 Mbps/pin (PC4-2666) |
| Напряжение питания | 1.2 V | 1.2 V |
| Operating Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V | — |
| Clock Frequency | 1.333 GHz | — |
| Рабочая температура | 0C to +95C | 0°C to +95°C (TC) |
| Корпус | 96FBGA (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array) | 96-ball FBGA |
| Тип монтажа | Surface Mount | — |
| Die Revision | C-die | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes (240 ohm resistor to GND) | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Статус RoHS | Compliant | — |
| Total Density | — | 8 Gb |
| Задержка CAS | — | [DATA_NEEDED: CL value] |
| tRCD | — | [DATA_NEEDED: tRCD value] |
| tRP | — | [DATA_NEEDED: tRP value] |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| Data Mask | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |