K4B4G1646D-BMK0 vs K4B4G1646Q Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4B4G1646D-BMK0 от Samsung Electronics и K4B4G1646Q от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1600Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BMK0 ✓ Активен
Сравнение характеристик
| Параметр | K4B4G1646D-BMK0 | K4B4G1646Q |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $5,90 | $6,50 |
| Density | 4 Gb | 4Gb |
| Организация памяти | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Speed Grade | 1600 Mbps (PC3L-12800) | — |
| Voltage | 1.35 V | — |
| Рабочая температура | -40°C to 95°C | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |
| Корпус | 96FBGA (TFBGA) | 96-ball FBGA |
| Тип памяти | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Die Version | D-die | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Без галогенов | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | Yes |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Package Code | TFBGA | — |
| Number of Functions | 1 | — |
| Скорость передачи данных | 1600 Mbps | 1866 Mbps (PC3-14900) |
| Разрядность шины данных | — | 16 bits |
| Напряжение питания | — | 1.35V |
| Die | — | Q-die |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| Задержка CAS | — | Programmable |