K4B4G1646D-BYH90 vs K4B4G1646D-BYK0 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4B4G1646D-BYH90 от Samsung Electronics и K4B4G1646D-BYK0 от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH90 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYH90 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | K4B4G1646D-BYH90 | K4B4G1646D-BYK0 |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $8,80 | $2,90 |
| Тип памяти | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gbit |
| Организация памяти | 512M x 16 | 256M x 16 |
| Скорость передачи данных | 2133 Mbps/pin | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| Напряжение питания | 1.35V (1.283V to 1.45V) | 1.35 V (1.5 V compatible) |
| I/O Interface | x16 | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Корпус | 96-ball FBGA (TFBGA) | 96-ball FBGA |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Рабочая температура | 0°C to +85°C | 0°C to 85°C |
| Задержка CAS | Programmable (e.g., 11, 12, 13) | Programmable (e.g., 11, 10, 9) |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | 8 (with burst chop 4) |
| On-Die Termination | Yes (ODT pin) | Yes |
| ZQ Calibration | Yes (240-ohm resistor to ground) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Без галогенов | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Количество выводов | — | 96 |
| Die Revision | — | D-die |