K4RAH086VB-BIQK vs K4RBH086VB-BCQK Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K4RAH086VB-BIQK от Samsung Electronics и K4RBH086VB-BCQK от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electronics
K4RAH086VB-BIQK K4RAH086VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH086VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH086VB-BIQK ✓ Активен
Samsung Electronics
K4RBH086VB-BCQK K4RBH086VB-BCQK - DDR5 16Gb 4800Mbps DRAM | Samsung

K4RBH086VB-BCQK - DDR5 16Gb 4800Mbps DRAM | Samsung

K4RBH086VB-BCQK ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр K4RAH086VB-BIQK K4RBH086VB-BCQK
Бренд Samsung Electronics Samsung Electronics
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $4,25 $0,00
Тип памяти DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gb 16 Gb
Организация памяти 2G x 8 2G x 8
Скорость передачи данных 4800 Mbps/pin 4800 Mbps
Core Supply Voltage 1.1 V (nominal) —
Корпус 82FBGA FBGA-82
Configuration X8 —
Speed Grade BIQK (-BIQK bin) —
ECC On-die ECC (DDR5 standard) —
Интерфейс DDR5 (CA reduced pin count) DDR5 (CA bus, ODECC)
Burst Length 16 / 32 —
Operating Mode DLL enabled —
Статус RoHS Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Samsung 82FBGA) Compliant
Рабочая температура [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Задержка CAS [DATA_NEEDED: CAS latency (CL)] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate specification] [DATA_NEEDED: refresh rate 32ms/64ms]
Уровень MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Supply Voltage (VDD) — 1.1 V
On-die ECC — Yes
Тип монтажа — Surface Mount
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS latency at 4800 Mbps]
Power Supply Rails — VDD/VDDQ 1.1 V (PMIC on module)
Packaging — [DATA_NEEDED: tray or tape and reel standard quantity]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену