K4RAH086VB-BIWM vs K4RHE086VP Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4RAH086VB-BIWM от Samsung Electronics и K4RHE086VP от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | K4RAH086VB-BIWM | K4RHE086VP |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | DDR5 |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $4,85 | $9,90 |
| Тип памяти | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 24 Gb |
| Скорость передачи данных | 5600 Mbps per pin | — |
| Организация памяти | [DATA_NEEDED: organization x4/x8] | x8 |
| Напряжение питания | [DATA_NEEDED: VDD voltage] | — |
| Package Type | [DATA_NEEDED: package (FBGA, ball count)] | FBGA |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Bank Groups | [DATA_NEEDED: bank group count] | [DATA_NEEDED: bank group count] |
| CAS Latency (CWL) | Programmable (per Samsung DDR5 16Gb B-die spec) | — |
| DLL | DLL Enabled mode operation | — |
| On-Die Termination | Yes (via Mode Register setting) | — |
| Internal Calibration | Yes (via MPC) | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Posted CAS | Yes | — |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: temperature range] | — |
| Статус RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Maximum Data Rate (family, per spec Rev1.0) | 4800 Mbps per pin (DDR5-4800, general applications) | — |
| Process Node | — | 1a-class (D1a) |
| Тип интерфейса | — | DDR5 (double data rate 5) |
| Maximum Data Rate | — | [DATA_NEEDED: speed bin data rate] |
| Supply Voltage (VDD) | — | [DATA_NEEDED: VDD in V] |
| On-Die ECC | — | Yes (DDR5 standard feature) |
| Диапазон рабочих температур | — | [DATA_NEEDED: temperature range] |
| Бренд | — | Samsung Electronics |
| Product Family | — | Samsung K4RHE DDR5 series |
| Typical Application | — | Server / client DRAM modules |