K4RAH165VB-BIQK vs K4RAH086VB-BIQK Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4RAH165VB-BIQK от Samsung Electronics и K4RAH086VB-BIQK от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | K4RAH165VB-BIQK | K4RAH086VB-BIQK |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,00 | $4,25 |
| Тип памяти | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gb |
| Организация памяти | 1G x 16 | 2G x 8 |
| Скорость передачи данных | 4800 Mbps (MT/s) | 4800 Mbps/pin |
| Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | — |
| On-Die ECC | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| DLL Enabled Mode | Yes (spec mode per datasheet) | — |
| Корпус | [DATA_NEEDED: exact package ball count / FBGA designation] | 82FBGA |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Бренд | Samsung Semiconductor | — |
| Core Supply Voltage | — | 1.1 V (nominal) |
| Configuration | — | X8 |
| Speed Grade | — | BIQK (-BIQK bin) |
| ECC | — | On-die ECC (DDR5 standard) |
| Интерфейс | — | DDR5 (CA reduced pin count) |
| Burst Length | — | 16 / 32 |
| Operating Mode | — | DLL enabled |
| Статус RoHS | — | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Samsung 82FBGA) |
| Задержка CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency (CL)] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] |
| Уровень MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |