K4RBH165VB-BCQK vs K4RAH165VB-BCQK Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K4RBH165VB-BCQK от Samsung Electronics и K4RAH165VB-BCQK от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electronics
K4RBH165VB-BCQK K4RBH165VB-BCQK - DDR5 16Gb 4800Mbps DRAM | Samsung

K4RBH165VB-BCQK - DDR5 16Gb 4800Mbps DRAM | Samsung

K4RBH165VB-BCQK ✓ Активен
Samsung Electronics
K4RAH165VB-BCQK K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр K4RBH165VB-BCQK K4RAH165VB-BCQK
Бренд Samsung Electronics Samsung Electronics
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,00 $0,00
Тип памяти DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Размер памяти 16 Gb 16 Gb
Организация памяти 1G x 16 —
Скорость передачи данных 4800 Mbps/pin 4800 Mbps
Speed Grade BCQK (4800 Mbps) —
Рабочая температура 0 C to +85 C 0C to +85C
Self Refresh Auto self-refresh —
Reset Function Asynchronous reset —
Error Correction On-chip (on-die) ECC On-die ECC
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
ZQ Calibration Yes —
Напряжение питания [DATA_NEEDED: core supply voltage (VDD), nominally 1.1 V for DDR5] —
Package Type [DATA_NEEDED: exact package code, expected FBGA surface mount] —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Burst Length [DATA_NEEDED: burst length (BL16 per DDR5 standard)] —
Memory Organization — 1G x 16
Memory Interface — Parallel
Supply Voltage (VDD) — 1.1 V
Особенности — Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration
Корпус — 106-ball FBGA
Memory Format — DRAM (volatile)
Packaging — Tray
Статус жизненного цикла — Active
Unit Price — [DATA_NEEDED: unit price]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену