K4RCH046VM-2CLP vs K4RHE165VB-BCWM Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K4RCH046VM-2CLP от Samsung Electronics и K4RHE165VB-BCWM от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electronics
K4RCH046VM-2CLP K4RCH046VM-2CLP - 32Gb DDR5 SDRAM 6400Mbps | Samsung

K4RCH046VM-2CLP - 32Gb DDR5 SDRAM 6400Mbps | Samsung

K4RCH046VM-2CLP ✓ Активен
Samsung Electronics
K4RHE165VB-BCWM K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung

K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung

K4RHE165VB-BCWM ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр K4RCH046VM-2CLP K4RHE165VB-BCWM
Бренд Samsung Electronics Samsung Electronics
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $10,10 $0,00
Тип памяти DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 32 Gb 24 Gb (3 GB)
Организация памяти 4G x 4 1G x 16
Скорость передачи данных 6400 Mbps 5600 Mbps
Напряжение питания 1.1 V 1.1 V
Рабочая температура 0C to 85C 0 to 85 C
Корпус 78-FBGA 106 FBGA
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount (BGA)
Configuration x4 component —
Интерфейс DDR5 (SSTL-style low-voltage signaling) DDR5 (parallel, DDR)
Family Speed Range (Samsung DDR5) up to 7200 Mbps —
Family Density Range (Samsung DDR5) 16 Gb to 32 Gb —
Power Efficiency vs DDR4 Approx. 30% greater —
Product Status (per distributor listing) Sample / Active supply via distribution —
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Уровень MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] [DATA_NEEDED: MSL Level]
Product Status — Mass Production
Access Type — Synchronous
Clock Rate (nominal) — 2800 MHz (5600 MT/s DDR)
Ball Count — 106
Standard Pack Quantity — [DATA_NEEDED: Standard Pack Quantity]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену