K4RCH046VM-2CLP vs K4RHE165VB-BCWM 비교

다음의 상세 나란히 비교: K4RCH046VM-2CLP 제조: Samsung Electronics 및 K4RHE165VB-BCWM 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Samsung Electronics
K4RCH046VM-2CLP K4RCH046VM-2CLP - 32Gb DDR5 SDRAM 6400Mbps | Samsung

K4RCH046VM-2CLP - 32Gb DDR5 SDRAM 6400Mbps | Samsung

K4RCH046VM-2CLP ✓ 활성
Samsung Electronics
K4RHE165VB-BCWM K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung

K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung

K4RHE165VB-BCWM ✓ 활성

사양 비교

파라미터 K4RCH046VM-2CLP K4RHE165VB-BCWM
브랜드 Samsung Electronics Samsung Electronics
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $10.10 $0.00
메모리 유형 DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 32 Gb 24 Gb (3 GB)
메모리 구성 4G x 4 1G x 16
데이터 속도 6400 Mbps 5600 Mbps
공급 전압 1.1 V 1.1 V
동작 온도 0C to 85C 0 to 85 C
패키지 78-FBGA 106 FBGA
실장 유형 Surface Mount Surface Mount (BGA)
Configuration x4 component —
인터페이스 DDR5 (SSTL-style low-voltage signaling) DDR5 (parallel, DDR)
Family Speed Range (Samsung DDR5) up to 7200 Mbps —
Family Density Range (Samsung DDR5) 16 Gb to 32 Gb —
Power Efficiency vs DDR4 Approx. 30% greater —
Product Status (per distributor listing) Sample / Active supply via distribution —
RoHS 상태 [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS Status]
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] [DATA_NEEDED: MSL Level]
Product Status — Mass Production
Access Type — Synchronous
Clock Rate (nominal) — 2800 MHz (5600 MT/s DDR)
Ball Count — 106
Standard Pack Quantity — [DATA_NEEDED: Standard Pack Quantity]

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