K4RHE165VB-BCWM vs K4RBH165VB-BCQK Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K4RHE165VB-BCWM от Samsung Electronics и K4RBH165VB-BCQK от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electronics
K4RHE165VB-BCWM K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung

K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung

K4RHE165VB-BCWM ✓ Активен
Samsung Electronics
K4RBH165VB-BCQK K4RBH165VB-BCQK - DDR5 16Gb 4800Mbps DRAM | Samsung

K4RBH165VB-BCQK - DDR5 16Gb 4800Mbps DRAM | Samsung

K4RBH165VB-BCQK ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр K4RHE165VB-BCWM K4RBH165VB-BCQK
Бренд Samsung Electronics Samsung Electronics
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,00 $0,00
Тип памяти DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 24 Gb (3 GB) —
Организация памяти 1G x 16 1G x 16
Скорость передачи данных 5600 Mbps 4800 Mbps/pin
Напряжение питания 1.1 V [DATA_NEEDED: core supply voltage (VDD), nominally 1.1 V for DDR5]
Корпус 106 FBGA —
Тип монтажа Surface Mount (BGA) Surface Mount
Рабочая температура 0 to 85 C 0 C to +85 C
Product Status Mass Production —
Интерфейс DDR5 (parallel, DDR) —
Access Type Synchronous —
Clock Rate (nominal) 2800 MHz (5600 MT/s DDR) —
Ball Count 106 —
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS Status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL Level] —
Standard Pack Quantity [DATA_NEEDED: Standard Pack Quantity] —
Размер памяти — 16 Gb
Speed Grade — BCQK (4800 Mbps)
Self Refresh — Auto self-refresh
Reset Function — Asynchronous reset
Error Correction — On-chip (on-die) ECC
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
ZQ Calibration — Yes
Package Type — [DATA_NEEDED: exact package code, expected FBGA surface mount]
Burst Length — [DATA_NEEDED: burst length (BL16 per DDR5 standard)]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену