K6X0808C1D-GF55T vs K6X0808C1D-BF55 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K6X0808C1D-GF55T от Samsung Electro-Mechanics и K6X0808C1D-BF55 от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electro-Mechanics
K6X0808C1D-GF55T - 32Kx8 55ns Async SRAM 5V | Samsung
K6X0808C1D-GF55T ✓ АктивенSamsung Electronics
K6X0808C1D-BF55 - 256Kbit 5V Asynchronous SRAM 55ns | Samsung
K6X0808C1D-BF55 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | K6X0808C1D-GF55T | K6X0808C1D-BF55 |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electro-Mechanics | Samsung Electronics |
| Категория | DRAM | DRAM |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $1,85 | $1,85 |
| Тип памяти | SRAM - Asynchronous | Asynchronous SRAM |
| Размер памяти | 256 Kbit | 256 Kbit |
| Организация памяти | 32K x 8 | 32K x 8 |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Напряжение питания | 5.0 V | 5 V |
| Интерфейс | Parallel | Parallel |
| Process Technology | Full CMOS | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Корпус | 28-SOP (450 mil) | 28-SOP |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Active Current | [DATA_NEEDED: active current] | — |
| Data Retention Voltage | Low data retention voltage supported (per datasheet) | — |
| Control Signals | CE, OE, WE | CE, OE, WE |
| Address Bus Width | 15 bit | — |
| Разрядность шины данных | 8 bit | — |
| Статус RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | unknown |
| Packaging | Tape & Reel (T suffix) | — |
| Technology | — | CMOS |
| Operating Current | — | [DATA_NEEDED: operating current] |
| Memory Format | — | SRAM |
| Clock Frequency | — | N/A (asynchronous) |
| Refresh | — | Not required (static memory) |