K9KUGY8J7C-CCK0 vs K9HUGY8J5B-BCK0 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K9KUGY8J7C-CCK0 от Samsung Electronics и K9HUGY8J5B-BCK0 от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electronics
K9KUGY8J7C-CCK0 K9KUGY8J7C-CCK0 - Samsung V-NAND TLC Flash | Samsung Electronics

K9KUGY8J7C-CCK0 - Samsung V-NAND TLC Flash | Samsung Electronics

K9KUGY8J7C-CCK0 ✓ Активен
Samsung Electronics
K9HUGY8J5B-BCK0 K9HUGY8J5B-BCK0 - Samsung V-NAND Flash Memory | Samsung

K9HUGY8J5B-BCK0 - Samsung V-NAND Flash Memory | Samsung

K9HUGY8J5B-BCK0 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр K9KUGY8J7C-CCK0 K9HUGY8J5B-BCK0
Бренд Samsung Electronics Samsung Electronics
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,00 $0,00
Manufacturer Samsung Electronics Samsung Electronics
Product Family K9-Series V-NAND K9HUG (V-NAND flash)
Тип памяти NAND Flash NAND Flash (3D V-NAND)
Cell Type TLC (Triple-Level Cell) [DATA_NEEDED: SLC/MLC/TLC/QLC]
Technology Samsung V-NAND (3D NAND) —
Density [DATA_NEEDED: total device density] [DATA_NEEDED: device density]
Организация памяти [DATA_NEEDED: page/block/plane organization] [DATA_NEEDED: page/block organization]
Интерфейс [DATA_NEEDED: asynchronous/synchronous toggle interface mode] [DATA_NEEDED: asynchronous/toggle DDR]
Напряжение питания [DATA_NEEDED: VCC supply voltage range] —
Page Size [DATA_NEEDED: page size] —
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: endurance rating] —
Package Type BGA —
Рабочая температура Commercial grade (per -CCK0 suffix); exact range [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: temperature range]
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Статус RoHS Lead free / RoHS (per Samsung K9-family product pages) Compliant
Уровень MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Bus Width — [DATA_NEEDED: x8 or x16]
Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC range]
Supply Voltage (VCCQ) — [DATA_NEEDED: VCCQ range]
Page Program Time — [DATA_NEEDED: tPROG]
Page Read Time — [DATA_NEEDED: tR]
Block Erase Time — [DATA_NEEDED: tBERS]
Endurance — [DATA_NEEDED: P/E cycles]
Корпус — [DATA_NEEDED: package code, e.g. FBGA]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену